Optic lithography for 2 um pattern

Photo Lithography


For 2 micrometer pattern using photo (optic) lithography

Material : wafer, AZ-5214E, MIF-300

1. You should clean your wafer with acetone, IPA, DI-water.
Usually, the wafer cleaned in ultrasonic bath for Acetone and IPA.

2. PLZ, Annealing your pre-cleaned wafer on Hot plate at 100 degree celcius for 10 min.
I postulate that the post heating process will give you the more better condition of surface.
Because the residue of moisture will be removed by post annealing.

3. Spin coating, AZ-5214E, There is a three step.
4500 (3s), 6500 (5s) 8000 (20s).

4. Soft bake process at 90 degree celcius for 1 min.

5. First exposure under your mask for 1~2 seconds.

6. Hard bake at 130 degree celcius for 75 seconds.

7. Second exposure with our mask (Blank exposure) for 60 seconds.

8. Develop with MIF-300 developer.

9. Done.

This is for negative pattern process.

If you can not get the good pattern~ give me a reply~~:)



많은 연구실에서 Photo (optic) lithography를 사용중이지.

우리도 그렇다, 우리도 정말 하루도 빠짐 없이 거의 사용한다.
현재 약, 2 um 선폭까지 가능하다. 물론 대부분의 연구실에서도 가능하겠지만,
혹시 모르고 있을 내 친구들을 위해 써보아요.

1. 웨이퍼를 깨끗하게 씻어라. acetone --> IPA --> DI-water 순으로 깨끗하게 씻어라.

2. 씻고 난다음, 가열 한번 해주라. 100도에서 약 10분? 남은 수분을 날려 버리고 싶다.

3. 본 연구실은 AZ-5214E를 사용한다. Negative, positive 모두 가능하다.

4. 본 문에서는 Negative에 대해서 쓰도록 할게요.

5. 아놔. 이제 존댓말 써야겠어요....

6. Photo resist (PR)을 웨이퍼에 Spin coating한다. 4500 3초, 6500 5초, 8000 20초 합니다.

7. Soft bake 하셔야죠? 약 1분 정도 합니다. 온도는 90도.

8. First exposure를 합니다. 시간은 1초~2초 사이.

9. 2 um를 기준으로 쓰는거에요. 작은 선폭일 경우, 저 정도의 시간이 딱 적당 했습니다.

10. Hard bake 하셔야죠. 1분 15초 합니다. 몇도? 130도에서.

11. Second exposure를 합니다. 60초 해줍니다.

12. DEVELOP (MIF-300) 해줍니다. 보통, 25~35초 정도 합니다. 그리고 물에 씻어 주어요.

그러면 2 um의 resolution을 얻을 수 있습니다.

안되면 댓글~!




감사감사!

Gap 및 선폭 모두 2 um 이다!
뭐..이제 연구실 내부 모든 사람들이 이 정도는 만든다.
1 um대로 마스크를 만들려고 하니, 가격이 갑자기 높아 지더라구요~
흠.....
그건 이빔으로 하자!