Boron nitride (BN) and Graphene stacking process

Thesedays, the Boron nitride (BN) is very promissing material for high quality of graphene device.
They have a same hexagonal structure.
Graphene device shows fantastic performance with BN.

The graphene devices on SiO2 has problems such as charge trapping and roughness....etc..
Graphene is one atommic layer which could get a huge affection with various substrates.


Now, I'm doing the stacking process for graphene and BN.
My result is posted below this text.

Dr. Bang is going to make e-beam lithography pattern, I hope he will get  a successful result....
Let's go!! BN/Graphene!!




요즘 BN이 한창 뜨고 있다.
그이유는 그라핀과 같은 Hexagonal structure이기 때문이지.
Graphene이 SiO2웨이퍼 위에서 본래의 성능을 내지 않는 것은 모두가 잘 알고 있다.
이유인 즉, Charge trapping도 있고, roughness문제~ 등등이 있을 것이다.
Graphene이 워낙 얇은 (one atomic thick) 이다 보니, roughness란 아주 중요하다.

현재 BN과 Graphene을 적층을 하고 있다.

앞으로 이빔 패터닝을 곧 해낼 것인데, 연구실 내에 미스터 방연구원이 어서 해내어 주길 바란다.

으으.........너만 해내면 된다...방! 화이팅.....

그림은 본인이 만든 Graphene과 BN 적층 구조이다. 곧 이 위에! 소자를 만들리!
교수님과 함께 힘을 합쳐 ㅋㅋ!!


그럼...See you